• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@Amasya
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   DSpace@Amasya
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

A New Unified Analytical Expression for Entropy and its Application to Power Electronic Semiconductors

Erişim

info:eu-repo/semantics/closedAccess

Tarih

2025

Yazar

Dogan, Zafer
Mehmetoglu, Tural

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Özet

This study is based on the evaluation of the entropy of solid materials using the more generally appropriate Einstein-Debye approximation. A new efficient analytical expression for entropy depends on the Einstein and Debye temperatures and includes the optical and acoustic effects of the phonon spectrum. Power semiconductors are used as significant key components in industrial applications such as motor drives and converters. As an application, the proposed expression is used to evaluate the entropy of the power electronic semiconductors (SiC\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$${\text{SiC}}$$\end{document}) silicon carbide, (Ga2O3\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$${\text{Ga}}_{2} {\text{O}}_{3}$$\end{document}) gallium oxide, (AlN\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$${\text{AlN}}$$\end{document}) aluminum nitride, and diamond. The advantage of this study is to confirm the accurate calculation of the thermodynamic parameters of materials in a wide temperature range. The accuracy has been analyzed for several experimental and significant computation methods. The results of entropy for the power electronic semiconductors have confirmed that the newly obtained expression is crucial to accurately predict the other crystalline solids. It is seen from the applications that the expression for entropy has yielded accurate results over a wide temperature range.

Cilt

54

Sayı

3

Bağlantı

https://doi.org/10.1007/s11664-024-11655-z
https://hdl.handle.net/20.500.12450/6110

Koleksiyonlar

  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [1574]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [2182]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@Amasya

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreBölüme GöreYayıncıya GöreKategoriye GöreDile GöreErişim ŞekliBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreBölüme GöreYayıncıya GöreKategoriye GöreDile GöreErişim Şekli

Hesabım

GirişKayıt

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Yönerge || Rehber || Kütüphane || Amasya Üniversitesi || OAI-PMH ||

Amasya Üniversitesi Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı, Amasya, Turkey
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz: openaccess@amasya.edu.tr

Creative Commons License
DSpace@Amasya by Amasya University Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@Amasya: