Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Yapılarda Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Frekans ve Gerilime Bağlı Dağılım Profillerinin Farklı Metotlarla Elde Edilmesi

Abstract

Bu çalışmada PrBaCoO-nanofiber arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (Au/n-Si) yapılarda arayüzey durumlarının yoğunluğunun (NSS) ve seri direncin (RS) etkisi hem frekans hem de voltaja bağlı olarak incelendi. Bu amaçla hem kapasitans-gerilim (C-V) hem de iletkenlik-gerilim (G/?V) ölçümleri oda sıcaklığında, 1 kHz-1 MHz frekans ve (?3 V) gerilim aralığında gerçekleştirildi. NSS'in dağılımı hem Hill Coleman hem de yüksek-düşük kapasitans (CHF-CLF) metotlarından, RSise Nicollian-Brews metodundan frekans ve gerilime bağlı olarak elde edildi. NSS ve onların zaman sabiti (?) değerleri ise Nicollian and Goetzberger tarafından geliştirilen admitans spektroskopi metodundan elde edilmiştir. Deneysel sonuçlar, empedans ölçümlerinde NSS'in özellikle tüketim ve terslenim bölgelerinde etkili iken RS'nin sadece yığılma bölgesinde ve yüksek frekanslarda etkin olduğunu göstermiştir. Ölçülen C-V ve G/??V grafikleri üzerine RS etkisini minimize etmek için, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri yüksek frekanslar için düzeltilmiştir.

In this study, the density of interface states (NSS) and series resistance (RS) were examined for both frequency and voltage in PrBaCoO-nanofiber interface layered metal-semiconductor (Au/nSi) structures. For this purpose, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/?-V) measurements were performed at room temperature, 1 kHz-1 MHz frequency and (?3 V) voltage range. Frequency and voltage-dependent distributions of interface states were obtained from Hill Coleman and high-low capacitance (CHF-CLF) methods, and RS from Nicollian-Brews method. Interfacial states and their lifetime (?) were obtained from the Admittance/Conductance method developed by Nicollien and Goetzberger. Experimental results show that NSS states in impedance measurements are particularly effective in the regions of depletion and inversion while RS is only effective in the accumulation region and at high frequencies. The measured capacitance and conductivity values are corrected for high frequencies to minimize the RS effect on the measured C-V and G/?-V pilots.